PRAM

PRAM is de afkorting van Phase-Change Random Access Memory Naast PRAM wordt ook de afkorting PCM Phase Change Memory gebruikt. De PRAM is een NVRAM, die in staat moet zijn om gegevens twintig jaar vast te houden. Intel en ST Microtronics, IBM en Samsung zijn bezig met het nieuwe type geheugen, dat de FlashRam en de DRAM moet gaan vervangen. In tegenstelling tot de Flashram, die een beperkte beschrijfbaarheid kent van 1 to 5 miljoen keer, klaimt de PRAM een beschrijfbaarheid van 100 miljoen keer.